支持4英寸晶圆;曝光波长:350-450nm;曝光灯功率:350W;分辨率:优于0.8mm(光刻胶厚度1微米时);套刻精度:0.5mm;光强均匀度:优于±2%;更换汞灯后及汞灯全寿命周期内无需均匀性校正;曝光模式:可支持硬接触、软接触、接近和真空等模式.
光刻设备用于半导体图形制作,是半导体芯片加工工艺的最初步骤,是半导体图形制作的第一步是所有半导体应用中的最初和关键工艺之一。光刻效果的好坏和使用的稳定性直接影响了微图形的制作。因此光刻设备为半导体工艺的关键设备。
无
公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
---|